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Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE560I

创见M.2固态硬盘MTE560I采用112层3D NAND闪存打造，并搭配创见SLC Mode技术，展现不逊于SLC闪存颗粒的效能与稳定性，其搭载高速PCIe Gen 4 x4接口，具备优异的传输效能，同时采用30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(Corner Bond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护。MTE560I经过严谨的质量测试，具备宽温特性（-40℃~85℃），在急遽温差变化下仍能稳定运作，充分抵御严苛的工业应用环境。MTE560I同时也符合TCG Opal 2.0安全规范，属于自我加密硬盘 (Self-Encrypting Drive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。

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规格

外观
尺寸	80.0 mm x 22.0 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2规格	2280-D2-M (双面的)
外观尺寸	M.2 2280
界面
总线接口	NVMe PCIe Gen4 x4
存储
容量	80 GB/ 160 GB/ 320 GB/ 640 GB
Flash类型	112层3D闪存 (SLC mode)
操作环境
工作电压	3.3V±5%
工作温度	宽温 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
储存温度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度	5% ~ 95%
耐冲击	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振动 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequency)
电量
耗电量 (操作中)	5.6 瓦
耗电量 (IDLE)	1.28 瓦
效能
连续读写速度(CrystalDiskMark)	读取: 高达 3,800 MB/s 写入: 高达 3,200 MB/s
4K随机读写速度(IOmeter)	读取: 高达 350,000 IOPS 写入: 高达 330,000 IOPS
平均故障间隔(MTBF)	3,000,000 小时
写入兆位元组(TBW)	高达 38,000 TBW
每日全盘写入次数(DWPD)	54.2 (3 年)
备注	传输速度会因您的系统效能（硬件、软件、使用方式、产品容量）而有所不同。用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同，实际工作负载可能因（硬件、软件、使用情况、产品容量）而异。写入兆位元组（TBW)数值以该系列产品最高容量为主。
保修
安规认证	CE/ UKCA/ FCC/ BSMI
保修	三年有限保修