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创见DDR3L-1866 SO-DIMM

创见内存模组采用顶级颗粒与组件所制而成,通过缜密的实验室测试,以确保其优异效能。

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简介

创见内存模组采用顶级颗粒与组件所制而成,通过缜密的实验室测试,以确保其优异效能。

特色

容量 DRAM 创见型号 描述
4GB 512Mx8 TS512MSK64W8H 4GB DDR3L 1866 SO-DIMM 1Rx8
8GB 512Mx8 TS1GSK64W8H 8GB DDR3L 1866 SO-DIMM 2Rx8

规格

内存模块
RAM种类 DDR3L
DIMM种类 SO-DIMM
频率 1866
时序 CL13
容量 4 GB/ 8 GB
Rank 2Rx8/ 1Rx8
DRAM 512Mx8
电压 1.35V
电路板高度 1.18 吋
Pin 204 pin
备注 产品外观因型号不同而有所差异,图片仅供参考,请以实际产品为准。

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