创见内存模组采用顶级颗粒与组件所制而成,通过缜密的实验室测试,以确保其优异效能。
创见内存模组采用顶级颗粒与组件所制而成,通过缜密的实验室测试,以确保其优异效能。
容量 | DRAM | 创见型号 | 描述 |
4GB | 512Mx8 | TS512MSK64W8H | 4GB DDR3L 1866 SO-DIMM 1Rx8 |
8GB | 512Mx8 | TS1GSK64W8H | 8GB DDR3L 1866 SO-DIMM 2Rx8 |
内存模块 | |
RAM种类 | DDR3L |
DIMM种类 | SO-DIMM |
频率 | 1866 |
时序 | CL13 |
容量 | 4 GB/ 8 GB |
Rank | 2Rx8/ 1Rx8 |
DRAM | 512Mx8 |
电压 | 1.35V |
电路板高度 | 1.18 吋 |
Pin | 204 pin |
备注 | 产品外观因型号不同而有所差异,图片仅供参考,请以实际产品为准。 |