创见M.2固态硬盘MTE760T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE760T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE760T拥有30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE760T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性(-20°C~75°C)，在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见M.2固态硬盘MTE672A为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。

创见MTE662AM.2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662A固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662A符合TCGOpal2.0规范，数据可进行加密保存与分层管理，确保数据安全性。30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662A具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE662T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE730PM.222110固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存，达到高度可靠的储存效能。

创见M.2SSD832S为单面颗粒的M.22280固态硬盘，极致精薄不占空间，更能兼容于新一代轻薄型装置，如对性能有高度要求的轻薄型笔电、个人计算机等，满足高速需求与打破体积限制。除了搭载SATAIII6Gb/s传输接口与内建DDR3DRAM高速缓存外，创见更藉由筛选内存颗粒及强化韧体算法来提升M.2SSD832S的整体可靠性，可有效保护数据安全。