创见单面颗粒MTE352T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE352T固态硬盘具备3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE352T具备类宽温（-20℃~75℃）特性，完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.22280固态硬盘MTE720T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口，符合最新NVMe1.4规范，内置8通道控制器，带来前所未有的传输效能。创见MTE720T固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE720T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。创见亦推出具备宽温特性的MTE720T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。

创见MTE712PM.2固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存，达到高度可靠的储存效能。MTE712A同时为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。MTE712P以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口，带来前所未有的传输效能；创见MTE712P固态硬盘内置DRAM快取，提供绝佳的随机访问速度，同时搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE712P经过严格的厂内测试，具备宽温特性（-40°C~85°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

Transcend'sM.2SSDMTE712Aisaself-encryptingdrive(SED)thatcomplieswiththeTCGOpal2.0standards.Dataisprotectedusingthehardware-basedAES256-bitencryptionandLBA(LogicalBlockAddress)sector-specificpermissions.TheMTE712Afeaturesthe112-layer3DNANDflashandthePCIExpress(PCIe)Gen4x4interface,achievingnever-before-seentransferspeeds.Itsbuilt-inDRAMcacheallowsfasterrandomspeedswhilethe30µ"goldfingerPCB,CornerBondtechnology,andanti-sulfurresistorguaranteeitsreliabilityinharshconditions.TheMTE712Aisfullytestedin-house,operatingstablyinanextendedoperatingtemperaturerangingfrom-20℃~75℃.

创见MTE560PM.2固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存，达到高度可靠的储存效能。MTE560P同时为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。MTE560P采用112层3DNAND闪存，搭配创见SLCMode技术，展现不逊于SLC颗粒的效能与稳定性，其搭载高速PCIeGen4x4接口，具备优异的传输效能，同时采用30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护。MTE560P经过严谨的质量测试，具备宽温特性(-40℃~85℃)，在急遽温度变化下仍能稳定运作，充分抵御严苛的工业应用环境。

创见M.2固态硬盘MTE560I采用112层3DNAND闪存打造，并搭配创见SLCMode技术，展现不逊于SLC闪存颗粒的效能与稳定性，其搭载高速PCIeGen4x4接口，具备优异的传输效能，同时采用30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护。MTE560I经过严谨的质量测试，具备宽温特性（-40℃~85℃），在急遽温差变化下仍能稳定运作，充分抵御严苛的工业应用环境。MTE560I同时也符合TCGOpal2.0安全规范，属于自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。