DDR4内存的性能和超频潜力很大程度上取决于DRAM颗粒。三大原厂颗粒各有特点。
一、三星(Samsung)颗粒
B-Die:DDR4时代的超频王者,可超至4000MHz+,CL可压到14以下,但价格昂贵
C-Die:主流经济型,超频能力一般,价格适中
二、海力士(SK Hynix)颗粒
CJR/DJR:性价比高,容易超频到3600-3800MHz,时序适中,兼容性好于三星B-Die
JJR:经济型版本
三、镁光(Micron)颗粒
E-Die(C9BLH/C9BJZ):性价比均衡,可超频至3800-4400MHz但时序较高
Rev.E:超频潜力不错
四、选型建议
极限超频:三星B-Die
性价比超频:海力士CJR/DJR或镁光E-Die
默认使用:普通颗粒即可
识别颗粒:厂家不承诺颗粒不变,可查表或使用Thaiphoon Burner