收藏本站在线留言网站地图

您好,欢迎来到深圳联乐实业有限公司官网
咨询热线

400-888-2720

联乐实业

工业存储/工业电脑服务商

20年专注高可靠性工业存储产品及解决方案

DRAM、SRAM和Flash闪存的电路结构对比图及各自工作原理

返回列表 来源: 发布日期: 2022.02.12

在众多的存储器分类中,DRAM,SRAM和Flash是当今主要的固态存储技术,已经存在了很长时间,其中Flash最年轻的技术,也是当前最热门的存储技术。

图片5

下面是DRAM、SRAM和Flash闪存的电路结构对比图:

图片6

工作原理:

DRAM仅使用一个晶体管和一个电容器组件构建,而SRAM通常采用CMOS技术构建,具有六个晶体管。两个交叉耦合的反相器用于存储信息,就像在触发器中一样。为了进行访问控制,需要另外两个晶体管。如果启用了写线,则可以读取数据并使用位线进行设置。闪存电路与FG组件配合使用。FG位于栅极和源极-漏极区域之间,并被氧化层隔离。如果FG不充电,则栅极可以控制源极-漏极电流。当在栅极上提供高电压时,FG充满电子(隧道效应),FG上的负电势对栅极起作用,并且没有电流。可以用高电压沿栅极的反方向擦除FG。与SRAM和Flash相比,DRAM具有一个优点,即只需要一个带有电容器的MOSFET。与SRAM相比,它还具有生产便宜,功耗低的优点,但比SRAM慢。另一方面,SRAM通常以CMOS技术内置,具有六个晶体管和两个交叉耦合的反相器,并且对于访问控制,还需要另外两个晶体管。SRAM具有快速,易于控制,集成在芯片中以及快速的优势,因为不需要像DRAM中的总线。但是SRAM具有需要许多晶体管的缺点,因此比DRAM具有昂贵,更高的功耗。与DRAM和SRAM相比,闪存在栅极和源极-漏极区域之间具有FG,并被氧化层隔离。闪存不需要电源来存储信息,但比SRAM和DRAM写入慢。

联乐实业,工业存储/工业电脑服务商,17年专注高可靠性工业存储产品解决方案服务商!详情进入www.univo.com.cn或垂询400-888-2720
相关推荐