Transcend的PCIeGen5SSDMTE260S专为下一代速度和可靠性而打造，具有最新的PCIExpress®Gen5x4接口、先进的3DNAND闪存和DDR4DRAM缓存。它由低功耗控制器供电，并配有石墨烯散热器，可提供卓越的速度、稳定性和效率。无论您是沉浸在AAA游戏中，处理4K/8K视频制作，还是运行要求苛刻的AI应用程序，MTE260S都能确保超快的加载和即时响应，从而释放系统的全部潜力。

创见M.2固态硬盘MTE480T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE480T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE480T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE480T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见MTE460TPCIeM.2SSD搭载PCIeGen3x2传输接口，采用112层3DNAND闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE460T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术与抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE460T经过严格的厂内测试。具备类宽温特性(-20°C~75°C)，并可依据客户需求提供宽温规格（-40°C~85°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE452T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.2固态硬盘MTE380T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。