创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合NVMe1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C~75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

创见MTE662T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE652T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE652T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE662P固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662P固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机存取速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662P搭载30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)技术，提供优异可靠的性能，更结合断电保护（PLP）功能，确保数据完整性。此外，MTE662P具备类宽温特性（-20°C~75°C），完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.2固态硬盘MTE470A为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。

创见U.2NVMe固态硬盘UTE210T以112层3DNAND闪存打造，搭载8通道控制器与PCIeGen4x4传输接口，并符合NVMe1.4标准，带来前所未有的传输效能；内置DRAM快取，提供绝佳的随机访问速度，同时搭配抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。UTE210T的散热效能优于一般固态硬盘，适合全天候高速运转的设备，避免机台过热导致数据储存异常。