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联乐小讲堂08:固态硬盘速度的小秘密(三) ST40速度实例

返回列表 来源: 发布日期: 2019.05.06

 Agrade(睿达) SATA SSD ST40是一款比较成熟的产品,采用慧荣SM2246XT主控,仅支持SLC&MLC闪存芯片,不能使用TLC&QLC,专为工业级存储用户优化设计。



ST40接口采用SATA 3.0标准,接口理论传输速度600MB/s,实际最高速度550MB/s左右。


闪存支持4通道(CH),8CE,所以理论上支持8x4=32个单CE闪存芯片,或16颗双CE闪存,或8颗4CE,以此类推。


在实际应用上,此实例中我们采用东芝正片 TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D,MLC闪存,单颗16GB,采用15nm制程工艺。


速度三原则,[闪存速度原则],基本上制程就决定了闪存本身的速度,这颗闪存采用了目前非常先进的15nm制程工艺,理论上速度应该比较理想。


顺便说一句,有的朋友认为,TSOP封装代表了落后,事实上不完全对,TSOP或BGA仅仅是封装方式而已,两者各有特点,但在核心/管芯上其实是相同的,如此例中TSOP也可以很先进,很优秀。


另外,这颗闪存TSOP封装决定了只有一个模组,模组也只有一个核心/管芯(模组可能有1、2、4个CE),所以它是一颗单CE闪存芯片。


下面是我们的实际测试:



01


TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D,MLC,16GB x 1  =  16GB /  1CH  /  1CE

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测试中的速度,基本可以视为闪存本身的速度表现,当然,主控也有一定因素的影响,好的主控可以让速度表现得现好,反之亦然。



02


TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D,MLC,16GB x 2  =  32GB /  2CH  /  2CE

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两颗闪存,容量加倍,通道/CE加倍,从测试成绩看,读/写的速度也都加倍,基本体现了速度三原则[通道倍增原则]。



03


TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D,MLC,16GB x 4  =  64GB /  4CH  /  4CE

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四颗闪存,再次证明速度三原则[通道倍增原则],写速度加倍;读速度理论上也应该是加倍的,但顶到了SATA接口的天花板,550MB/s,没有办法再高了,速度三原则[接口限制原则]。


04



TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D,MLC,16GB x 8  =  128GB /  4CH  /  8CE

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正面相同,反面再增加四颗,共八颗闪存,由于主控只提供4通道,所以8CE平均分配到4CH,每CH有2CE,通道没有增加,但CE数量加倍了,在CE数量相对于最大CE数32仍然比较少的情况下,主控没有满负荷工作,写速度因为CE的加成,仍然体现出加倍的情况;读速度同样受SATA接口限制,稳定在550MB/s的最高值。



05


TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D,MLC,16GB x 16  =  256GB /  4CH  /  16CE

16颗闪存情况与8颗类似,每CH有4CE,通道没增加,CE再加倍,所以写速度也因为CE的加成仍然增加了70%,读速度仍然保持在SATA最高值。


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现在我们可以证明:


固态硬盘的速度 = 

单颗闪存速度 x 通道数量 < 接口实际最高速度


提示

小提示1:

增加闪存数量,可以增加容量,倍数提升速度,但多颗闪存较同容量的单颗闪存价格高,其次,闪存数量越多,故障点就越多,所以要平衡各方面情况综合考虑。


小提示2:

同一型号固态硬盘,速度可能不同,甚至相差极大,同系列固态硬盘的速度参数可以作为参考,实际数值还是要以闪存型号及数量为基础。


Agrade(睿达) SATA SSD ST40采用16xTSOP板型,非常适合于工业存储用户的中小容量用户,整个板型采用标准大板,用料精良,支持睿达特色之用户个性化定制,其优点在于,可以在固态硬盘容量不大的情况下,以闪存类型x数量的方式来达到用户以需求的理想的速度。

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