Apacer宇瞻科技SH25P-CFast是一款在精巧外形和卓越效能上达到完美平衡的固态硬盘(ssd)。采用SATA6.0Gbps介面，完全符合最新SATA第3.2版修订的介面规格，并具备优异的资料传输效能，连续存取数据传输速率高达560MB/s，及4KB随机存取时达到69,000IOPs，同時，具备更高效能且可稳定SATA-based的7-pin串行信号段，以及17-pin的电源控制功能。

ApacerSH250-CFast搭载3DNAND提供高达320GB的大容量，工作效能远胜于2DNAND许多，是一款提供多样技术优势最新型的CFast固态硬盘(ssd)。SH250-CFast采用SATA6.0Gb/s接口，连续操作传输速度高达550MB/s，4KB随机数据传输速率高达63,000IPOS，使用SATA7和17针信号段进行电源和控制。SH250-CFast在内部控制单元上没有设计DRAM，可避免突然断电而造成数据遗失，以确保数据的完整性。 

创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合NVMe1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C~75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

创见MTE662T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE652T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE652T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE662P固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662P固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机存取速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662P搭载30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)技术，提供优异可靠的性能，更结合断电保护（PLP）功能，确保数据完整性。此外，MTE662P具备类宽温特性（-20°C~75°C），完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.2固态硬盘MTE470A为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见MTE470A固态硬盘采用112层3DNAND闪存打造，搭载PCIeGen3x4接口，具备优异的传输效能。创见导入30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE470A经过严谨的质量测试，具备类宽温特性（-20℃~75℃），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。M.22242的尺寸规格轻薄小巧，适合行动运算等应用领域。

创见M.2固态硬盘MTE480T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE480T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE480T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE480T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。创见还推出具备宽温特性的MTE480T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。

创见MTE460TPCIeM.2ssd搭载PCIeGen3x2传输接口，采用112层3DNAND闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE460T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术与抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE460T经过严格的厂内测试。具备类宽温特性(-20°C~75°C)，并可依据客户需求提供宽温规格（-40°C~85°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。