工业3DTLCNAND Optimizedforread-onlyapplications(automotive)orsequential writeintensiveworkload(videorecording)  AEC-Q100-3automotivestandard

SerieNameC-350C-300LC-500C-56IterfaceCFA4.1CFA5.0/CFA6.1comatileIterfaceDataTraferModeTrueIDE/PCcard–UtoUDMA4,MDMA4amPIO6TrueIDE/PCcard–UtoUDMA6,MDMA4amPIO6CoectorCFCTyeIOutlieDimeio36.4x42.8x3.3mmFlahTyeSLCSLCDeityRage32-256MB128MB-1GB512MB-64GB4-64GBDataRetetio10year@lifeegi1year@lifeedEdu......

H2-SL 工业级SD记忆卡随机效能表现较以往优于SDH1-SL ，特别搭配兼容UHS-I的设备使用，可展现最佳传输速度。除此之外，影片速度等级(VideoSpeedClass)可兼容于常见摄录像功能或设备所需的V10,V30规格，适用于高分辨率或高画质影片录制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，优化4K小档案的随机读写IOPS效能，IOPS 的读写效能至少达到1,900/800 。 H2-SL搭载SD5.1接口9Pin接口设计，专为50MHzor100MHz最大运作效能而开发，可在SDMode 和SPIMode间交换使用，亦可向下兼容至SD2.0规格产品。同时，H2-M 工业级SD记忆卡能在最低电量下执行数据侦错和校正的功能。 

H2-M 工业级SD记忆卡随机效能表现较以往优于SDH1-M ，特别搭配兼容UHS-I的设备使用，可展现最佳传输速度。除此之外，影片速度等级(VideoSpeedClass)可兼容于常见摄录像功能或设备所需的V10,V30规格，适用于高分辨率或高画质影片录制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，优化4K小档案的随机读写IOPS效能，IOPS 的读写效能至少达到1,900/800 。

CXL内存模块克服了三大瓶颈：1)CPU可用内存带宽受限，2) 内存资源利用率低，3)内存与其他系统组件间的传输延迟。 以下是CXL内存模块的优势：‧随插即享单条64GB大容量：每条内存模块可提供高达64GB的存取容量以及32GB/s带宽，无需额外的DIMM插槽，即可将内存扩充至AI服务器所需的容量。‧内存池技术，方便资源共享：藉由内存池技术，同一层架中不同服务器的CPU、加速器等操作数件可共享内存资源，减少资源冗余、有效提升系统效率。‧优化的通讯协议与硬件架构：透过CXL.io与CXL.mem协议、以及PCIeGen5x8接口，减少计算机零件之间因不同协议与接口造成的复杂性与延迟，为AI和机器学习赋能。作为率先推出E3.S2T规格CXL内存模块的品牌之一，宜鼎国际透过严格测试与驰名业界的技术支持服务，协助客户在现有系统上以最低成本扩展内存，并完成高效部署。

创见M.2固态硬盘MTE480T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE480T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE480T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE480T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见MTE460TPCIeM.2SSD搭载PCIeGen3x2传输接口，采用112层3DNAND闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE460T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术与抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE460T经过严格的厂内测试。具备类宽温特性(-20°C~75°C)，并可依据客户需求提供宽温规格（-40°C~85°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.22230固态硬盘MTE370T采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达112层闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE370T采用PCIeGen3x4接口，符合NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；创见MTE370T固态硬盘经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，搭配30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE370T具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见单面颗粒MTE352T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE352T固态硬盘具备3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE352T具备类宽温（-20℃~75℃）特性，完美满足任务密集型应用的需求。