Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE652T2

创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合nvme1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C~75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE662T & MTE662T-I

创见MTE662T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE652T & MTE652T-I

创见MTE652T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE652T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE662P & MTE662P-I

创见MTE662P固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662P固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机存取速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662P搭载30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)技术，提供优异可靠的性能，更结合断电保护（PLP）功能，确保数据完整性。此外，MTE662P具备类宽温特性（-20°C~75°C），完美满足任务密集型应用的需求。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE452T2

创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE452T & MTE452T-I

创见MTE452T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。创见亦推出具备宽温特性的MTE452T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE370T & MTE370T-I

创见M.22230固态硬盘MTE370T采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达112层闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE370T采用PCIeGen3x4接口，符合nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；创见MTE370T固态硬盘经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，搭配30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE370T具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE352T

创见单面颗粒MTE352T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE352T固态硬盘具备3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE352T具备类宽温（-20℃~75℃）特性，完美满足任务密集型应用的需求。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE720T & MTE720T-I

创见M.22280固态硬盘MTE720T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口，符合最新nvme1.4规范，内置8通道控制器，带来前所未有的传输效能。创见MTE720T固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE720T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。创见亦推出具备宽温特性的MTE720T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。

Transcend/创见 PCIe M.2 SSDs MTE662A

创见MTE662AM.2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662A固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662A符合TCGOpal2.0规范，数据可进行加密保存与分层管理，确保数据安全性。30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662A具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。