Swissbit CFexpress卡G-20 / G-26

小型可拆卸PCIe卡外形规格  3DNANDTLC/pSLC型号  PCIe3.1/nvme1.32通道，提供HMB支持  端到端数据路径保护  热插拔支持，提供全面的断电数据保护  数据照管和S.M.A.R.T支持  AES加密，TCGOpal2.0  完整的工业温度范围，具有散热管理

Swissbit CFexpress卡G2000 / G2600

小型可拆卸PCIe卡外形规格  3DNANDTLC/pSLC型号  PCIe3.1/nvme1.32通道，提供HMB支持  端到端数据路径保护  热插拔支持，提供全面的断电数据保护  数据照管和S.M.A.R.T支持  AES加密，TCGOpal2.0  完整的工业温度范围，具有散热管理

transcend/创见 MTE452T2

创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE452T & MTE452T-I

创见MTE452T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE370T & MTE370T-I

创见M.22230固态硬盘MTE370T采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达112层闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE370T采用PCIeGen3x4接口，符合nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；创见MTE370T固态硬盘经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，搭配30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE370T具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE352T

创见单面颗粒MTE352T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE352T固态硬盘具备3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE352T具备类宽温（-20℃~75℃）特性，完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE662A

创见MTE662AM.2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662A固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662A符合TCGOpal2.0规范，数据可进行加密保存与分层管理，确保数据安全性。30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662A具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE662T2

创见MTE662T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE652T2

创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合nvme1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C~75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

transcend/创见 MTE662T & MTE662T-I

创见MTE662T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新nvme1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。