有别于一般CFast模块，是全新进阶版储存解决方案。采用3d闪存，容量最高可达960GB，其电力效能远优于2D闪存规格，且具备多重技术优势。该款最新闪存模块搭载SATA6.0Gbps接口，具备更高效能且可稳定SATA-based的7-pin串行信号段，以及17-pin的电源控制功能。SV250-CFast2.0未内建DRAM，在非预警断电状况下，仍可避免数据遗失，保证数据可靠度。

有别于一般CFast模块，是全新进阶版储存解决方案。采用3d闪存，容量最高可达960GB，其电力效能远优于2D闪存规格，且具备多重技术优势。该款最新闪存模块搭载SATA6.0Gbps接口，具备更高效能且可稳定SATA-based的7-pin串行信号段，以及17-pin的电源控制功能。SV250-CFast2.0未内建DRAM，在非预警断电状况下，仍可避免数据遗失，保证数据可靠度。

配合不断推陈出新的高阶数字摄录设备，创见1000倍速CF存储卡支持CompactFlash6.0规范，提供无可比拟的高传输速度与极致容量。符合VPG-20规范(VideoPerformanceGuarantee)，提供专业级的高画质与3d录像，呈现流畅不掉格的细致影像。此外，创见CF存储卡皆采用顶级MLC闪存，可提供长效稳定的储存表现及耐用性。

配合不断推陈出新的高阶数字摄录设备，创见1000倍速CF存储卡支持CompactFlash6.0规范，提供无可比拟的高传输速度与极致容量。符合VPG-20规范(VideoPerformanceGuarantee)，提供专业级的高画质与3d录像，呈现流畅不掉格的细致影像。此外，创见CF存储卡皆采用顶级MLC闪存，可提供长效稳定的储存表现及耐用性。

*断电保护功能*重复循环檫写次数：3dTLC(3000)MLC(3000)*SATAIII 6.0Gb/S标准*外部缓存DRAM *先进的损耗平衡功能(Wearleveling)和错误检查纠正技术(ECC)*智能銷毀功能

*PCIeGen.IIIX2interface *支持S.M.A.R.T *P/E：3dTLC(3000) *支持HMB无dram架构 *先进的2KLDPC(ECC)机制 *支持NVME1.3标准

*MO-300A标准 *重复循环檫写次数：3dTLC(3000)，MLC(3000) *SATAIII  6.0Gb/S 标准*先进的损耗平衡功能(WearLeveling)和错误检查纠正技术(ECC) *支持S.M.A.R.T功能

*PCIeGen3x4接口 *NVMe1.4规范 *特有的4KLDPCECC *HMB数据完整性保护 *支持对TCM/Cache/SRAM的ECC保护 *重复循环檫写次数： 3dTLC(3000次) *低功耗，高可靠性

*支持休眠功能 *SATAIII6.0Gb/S标准 *重复循环檫写次数：MLC(3000) 3dTLC（3000） *支持高级LDPC算法

*断电保护功能*外部缓存DRAM *重复循环檫写次数：MLC(3000)3dTLC(3000) *智能销毁功能（软销毁） *物理销毁功能（硬销毁）