海康存储 R33 USB 3.2 Gen1 高速闪存盘

专为个人数据存储与传输设计，采用全新SECURE14品质控制体系，确保读写速度和数据安全，轻松满足用户日常各类使用所需。  高速读写，传输速度最高达130MB/s  盖帽保护设计，防尘防摔防泼水 闪电绿发光挂钩，双重状态指示

kingston/金士顿 NV3 PCIe 4.0 NVMe SSD

高速度、低功耗的NVMe存储  PCIe4.0M.22280&2230NVMe外形  500GB、1TB、2TB、4TB  读取速度高达6,000MB/s，写入速度高达5,000MB/s

ATP DDR4

容量：2GB~256GB  高速传输：最高达3200MT/s  低电压（1.2V）、低功耗  更好的RAS（Reliability，Availability，Serviceability）及更优的信号完整性

kingston/金士顿 Renegade DDR4 内存

高速度和低延迟实现极致性能 Intel®XMPCertified且可直接用于AMDRyzen™ 速度高达5333MT/s套装容量高达256GB  模组容量8GB、16GB、32GB

kingston/金士顿 Renegade DDR4 RGB 内存

高速度和低延迟实现高性能 Intel®XMPCertified或Ready，可直接用于AMDRyzen™  速度高达4600MT/s,套装容量高达256GB  模组容量8GB、16GB、32GB

Apacer宇瞻/SD卡Industrial SD Card

宇瞻ISD符合SD协会规定的2.0版标准和SDHCClass10高速传输标准，还支持SD和SPI模式。它通过使用非常可靠的SLC芯片不仅可提供抗冲击、抗振和低功耗特性，还拥有扩展温度范围(-40°C到85°C)耐性。提供从256MB到32GB的容量，凭借其最新但不是唯一的自动待机和睡眠模式优势可有助于更有效地节省电力。该设备上的实际可用内存小于包装上所列的内存。这是因为各种操作系统使用的文件格式以及算法的微小差异造成。另外，为系统文件和数据扇区保留了一部分内存空间以提供更好的性能。

transcend/创见 MTE480T & MTE480T-I

创见M.2固态硬盘MTE480T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE480T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE480T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE480T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

transcend/创见 MTE452T2

创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE452T & MTE452T-I

创见MTE452T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

transcend/创见 MTE560I

创见M.2固态硬盘MTE560I采用112层3DNAND闪存打造，并搭配创见SLCMode技术，展现不逊于SLC闪存颗粒的效能与稳定性，其搭载高速PCIeGen4x4接口，具备优异的传输效能，同时采用30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护。MTE560I经过严谨的质量测试，具备宽温特性（-40℃~85℃），在急遽温差变化下仍能稳定运作，充分抵御严苛的工业应用环境。