系列名称

D2200.S

标准和接口

PCIe第5.0代/ NVMe第2.0b代，x4通道

包裹

E1。S

SFF-TA-1006 E1。S

外形尺寸(长x宽x高)

闪跃型

3D NAND eTLC

密度范围

7.68 TB、15.4 TB

耐力[DWPD]
企业工作负载

1.5 5年

工作温度

0摄氏度至+70摄氏度

储存温度

-40摄氏度至+85摄氏度

表演

高达14.000 MB/s读取和10，000 MB/s写入的顺序数据速率(持续)

随机数据速率高达2,600 KIOPS读取和500 KIOPS写入(持续)

电压

VCC: 12V (+/-10%)

平均功率
混合研发/研发

动态随机存取存储器

DDR4 DRAM

故障平均间隔时间

超过200万小时

数据可靠性

< 1 sector per 10^17 bits

电源安全™  功能
完整的数据路径保护
南马丁·路德·金
灵活的电源管理
热插拔
整齐
最多支持128个多命名空间
AES-XTS 256数据加密和加密擦除
EUI64/NGUID
支持NVMe-米1.2b，支持
SMBus上的MCTP
无需重置的固件升级
时间戳
遥感勘测
加权循环赛(WRR)
持久事件日志
安全下载
安全启动