DDR5极宽温UDIMM内存采用特殊设计，速度为4800MT/s，是车载、安防监控、自动化与嵌入式应用的完美组合。此系列模块符合所有相关JEDEC标准，运作温度范围为-40ºC到105ºC。极端温度与持续的热循环可能会损害DRAM，并严重缩短其使用寿命。为克服此挑战，DDR5极宽温UDIMM能在-40°C到105°C的环境下运作，并耐受引擎等装置产生的热量。这也是目前唯一一款能在100°C以上运作的DDR5DRAM模块。本产品亦通过抗硫化测试以及高温/高湿度测试，采用45µ”金手指与U型强固技术，使数据稳定性更佳，并强化IC与PCB间的连接。Innodisk的此款模块符合所有相关的JEDEC标准，容量选项有16GB与32GB，速度为4800MT/s。

创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合NVMe1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C~75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

创见MTE662T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE652T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE652T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE662P固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662P固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机存取速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662P搭载30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)技术，提供优异可靠的性能，更结合断电保护（PLP）功能，确保数据完整性。此外，MTE662P具备类宽温特性（-20°C~75°C），完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.2固态硬盘MTE470A为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见MTE470A固态硬盘采用112层3DNAND闪存打造，搭载PCIeGen3x4接口，具备优异的传输效能。创见导入30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE470A经过严谨的质量测试，具备类宽温特性（-20℃~75℃），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。M.22242的尺寸规格轻薄小巧，适合行动运算等应用领域。