内置ECC，满足高可靠，大容量代码存储需求。工作电压VCC=2.7~3.6V接口模式为ONFI数据保持时间10年

内置ECC，满足高可靠，大容量代码存储需求。工作电压VCC=2.7~3.6V支持QSPI接口数据保持时间10年

更低的功耗和更高的频率，提升性能的同时降低系统功耗，广泛应用于高性能便携式电子设备的内存产品。工作电压VDD1=1.8V，VDD2=1.1V，VDDQ=0.6V支持后台ZQ校准支持自动刷新与自刷新

在提高数据传输效率的同时，更稳定地处理更多更快的任务，广泛应用于消费电子设备。工作电压VCC=2.7~3.6V，VCCQ=1.7~1.95V/2.7~3.6V支持eMMC5.1接口协议，向下兼容eMMC4.5数据总线宽度1bit(Default),4bit,8bit

采用先进的SSD主控和3DNANDFlash技术，搭配自主研发的NANDFlash管理软件，确保读写速度和数据安全。1/8000DramSize，PartialDram方案，较大的速度Cache确保数据传输稳定，可靠性更强。SATA3.0接口，最大读取速度达530MB/sP2L模式GC设计，提升速度降低延迟多种容量，最高支持8TB

采用先进的SSD主控和3DNANDFlash技术，搭配自主研发的NANDFlash管理软件。在保障高速性能的情况下，具有强散热、低功耗的良好表现，轻松满足用户日常各类使用所需。极速读写，最大读取速度高达4900MB/s紧凑型2230外形，节省空间的同时提供充足容量。