创见MTE662AM.2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662A固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662A符合TCGOpal2.0规范，数据可进行加密保存与分层管理，确保数据安全性。30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662A具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE662T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE730PM.222110固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存，达到高度可靠的储存效能。

采用先进LDPCECC引擎结合3DNAND闪存，提升可靠度Heatspreader散热技术全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMappingS.M.A.R.T.功能DataRAID™技术DataDefender™技术支持TRIM指令HyperCache缓存技术NVMe安全抹除指令

采用先进LDPCECC引擎结合3DNAND闪存，提升可靠度Heatspreader散热技术全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMappingS.M.A.R.T.功能DataDefender™技术支持TRIM指令HyperCache缓存技术Over-Provisioning技术DataRAID™技术NVMeSecureErase指令支持TCGOpal2.0规范/AES256位硬件加密

支援LDPCECC纠错与校正机制全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMapping支持S.M.A.R.T.功能支持TRIM指令Over-provisioningSMARTReadRefresh™技术