创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE452T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。创见亦推出具备宽温特性的MTE452T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。

创见M.2固态硬盘MTE380T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE380T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE380T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE380T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见M.22230固态硬盘MTE370T采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达112层闪存，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。MTE370T采用PCIeGen3x4接口，符合NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；创见MTE370T固态硬盘经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，搭配30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE370T具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见单面颗粒MTE352T固态硬盘搭载PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE352T固态硬盘具备3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE352T具备类宽温（-20℃~75℃）特性，完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.22280固态硬盘MTE720T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口，符合最新NVMe1.4规范，内置8通道控制器，带来前所未有的传输效能。创见MTE720T固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE720T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。创见亦推出具备宽温特性的MTE720T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。