符合SD3.0规范支援S.M.A.R.T功能支持平均抹写技术(Wear-Levelig)和区块管理(BlockMaagemet)UHS-I支持Cla10标准低功耗支持宽温(选用)规格表型号IdutrialSDR1-M介面SD3.0板型SDNAND颗粒MLC容量SDHC:8GB~16GB读取速度(MB/ec)Uto90写入速度(MB/ec)Uto25ECC纠错功能Built-i43-iter1KyteBCHECC标准作业温度(°C)-25~+85最高......

H2-SL工业级SD记忆卡随机效能表现较以往优于SDH1-SL，特别搭配兼容UHS-I的设备使用，可展现最佳传输速度。除此之外，影片速度等级(VideoSpeedClass)可兼容于常见摄录像功能或设备所需的V10,V30规格，适用于高分辨率或高画质影片录制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，优化4K小档案的随机读写IOPS效能，IOPS的读写效能至少达到1,900/800。H2-SL搭载SD5.1接口9Pin接口设计，专为50MHzor100MHz最大运作效能而开发，可在SDMode和SPIMode间交换使用，亦可向下兼容至SD2.0规格产品。同时，H2-M工业级SD记忆卡能在最低电量下执行数据侦错和校正的功能。

H2-M工业级SD记忆卡随机效能表现较以往优于SDH1-M，特别搭配兼容UHS-I的设备使用，可展现最佳传输速度。除此之外，影片速度等级(VideoSpeedClass)可兼容于常见摄录像功能或设备所需的V10,V30规格，适用于高分辨率或高画质影片录制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，优化4K小档案的随机读写IOPS效能，IOPS的读写效能至少达到1,900/800。

宇瞻工业级SD3.0卡的高性能，高可靠度与宽温耐受性让它成为理想的解决方案，尤其适合用于准工业与医疗市场的手持设备应用。H1-SL系列提供从4GB至64GB的容量支持，且完全符合SD3.0规范，而SD2.0规范使用MLCNAND闪存所生产，且最新的版本的固件已包含读取干扰、平均抹写技术与坏块管理技术。此外，透过宇瞻的SLC-lite技术，能够执行高达20,000次的P/E循环，但成本低于SLC技术。此产品非常适合低电耗运行，采用快闪储存的移动应用。

宇瞻工业级SD3.0卡的高性能，高可靠度与宽温耐受性让它成为理想的存储解决方案，尤其适合用于准工业与医疗市场的手持设备应用。H1-M系列提供从4GB至128GB的容量支持，且完全符合SD3.0规范，而SD2.0规范则内建于MLCNAND闪存中，且最新的版本的固件已包含读取干扰、平均抹写技术与坏块管理技术。此外，此产品也具备选配的-45°C至85°C宽温范围版本以承受极端的环境。

R1SD内存卡用原装高品质SLC芯片打造并经受了苛刻的环境测试。结合页面对齐固件使用，它可将随机读写速度提高每秒数千万字节，使其更有效地处理随机写入。固件技术的附加值功能还显著降低了写入放大因数(WAF)，延长了产品寿命和耐用性。此外，写保护等定制的固件优化工具可保护存储的内容，确保数据安全和完整性。宇瞻R1系列SD内存卡兼容最新的SD3.0接口，尽管外形小巧仍可提供1GB到8GB容量并在耗电方面展现出极佳的性能。