创见MTE662P固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662P固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机存取速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662P搭载30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)技术，提供优异可靠的性能，更结合断电保护（PLP）功能，确保数据完整性。此外，MTE662P具备类宽温特性（-20°C~75°C），完美满足任务密集型应用的需求。

创见M.2固态硬盘MTE470A为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。

创见U.2NVMe固态硬盘UTE210T以112层3DNAND闪存打造，搭载8通道控制器与PCIeGen4x4传输接口，并符合NVMe1.4标准，带来前所未有的传输效能；内置DRAM快取，提供绝佳的随机访问速度，同时搭配抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。UTE210T的散热效能优于一般固态硬盘，适合全天候高速运转的设备，避免机台过热导致数据储存异常。

创见MTE730PM.222110固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存，达到高度可靠的储存效能。

创见M.22280固态硬盘MTE720T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口，符合最新NVMe1.4规范，内置8通道控制器，带来前所未有的传输效能。创见MTE720T固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE720T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性（-20°C~75°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见MTE712PM.2固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存，达到高度可靠的储存效能。MTE712A同时为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。