*断电保护功能*重复循环檫写次数：3DTLC(3000)MLC(3000)*SATAIII6.0Gb/S标准*外部缓存DRAM*先进的损耗平衡功能(Wearleveling)和错误检查纠正技术(ECC)*智能銷毀功能

*重复循环檫写次数：SLC(60000)MLC(3000)*SATAIII6.0Gb/S标准*先进的损耗平衡功能(Wearleveling)和错误检查纠正技术(ECC)*支持S.M.A.R.T功能

*PCIeGen.IIIX2interface*支持S.M.A.R.T*P/E：3DTLC(3000)*支持HMB无dram架构*先进的2KLDPC(ECC)机制*支持NVME1.3标准

*PCIeGen3x4接口*NVMe1.4规范*特有的4KLDPCECC*HMB数据完整性保护*支持对TCM/Cache/SRAM的ECC保护*重复循环檫写次数：3DTLC(3000次)*低功耗，高可靠性

*支持休眠功能*SATAIII6.0Gb/S标准*重复循环檫写次数：MLC(3000)3DTLC（3000）*支持高级LDPC算法