TheInnodiskIndustrialCompactFlash®9000MemoryCard(iCF9000)productsprovidehighcapacitysolid-stateflashmemorythatelectricallycomplieswiththeTrueIDEModethatiselectricallycompatiblewithanIDEdiskdrive.TheoriginalCFformfactorcardcanbeusedinanysystemthathasaCFslot.

TheInnodiskIndustrialCompactFlash4000MemoryCard(iCF4000)productsprovidehighcapacitysolid-stateflashmemorythatelectricallycomplieswiththeTrueIDEModethatiselectricallycompatiblewithanIDEdiskdrive.TheoriginalCFformfactorcardcanbeusedinanysystemthathasaCFslot.

创见内存模组采用顶级颗粒与组件所制而成，通过缜密的实验室测试，以确保其优异效能。

Offeringthebestcombinationofreliability,speedandstability,Transcend'sDDR3DIMMsarebuiltwiththehighestqualitybrand-nameDRAMchipsavailable,andarerigorouslytestedtoensuretheymeetTranscend'sstringentrequirementsforoverallqualityandperformance.TranscendDDR3unbufferedDIMMsarethemoststableandreliableintheindustry,whichalsomakesthemaneconomicalmemorysolutionforalldesktops.

创见DDR4U-DIMM内存模块采用顶级颗粒与组件所制而成，通过缜密的实验室测试，适用于新一代Intel®Skylake桌面计算机平台。每支内存模块具备2400MHz時脈频率，提供每秒高达19GB的传输速率，可大幅提升系统运作效率。此外，创见DDR4U-DIMM拥有1.2伏特低工作电压特性，不但能减低运作时的温度，还能减少内存控制器的电力负荷，相较于标准DDR3的1.5伏特电压，更能达到节能减碳的目标。

创见DDR4-2666U-DIMM内存模块采用顶级颗粒与组件所制而成，通过缜密的实验室测试，适用于新一代Intel®CoffeeLake与AMDRyzen™系列处理器。每支内存模块具备2666MHz频率频率，提供每秒高达21GB的传输速率，可大幅提升系统运作效率。此外，创见DDR4-2666U-DIMM拥有1.2伏特低工作电压特性，不但能减低运作时的温度，还能减少内存控制器的电力负荷，达到节能减碳的目标。