规格表型号DDR5CSODIMM模块类型CSODIMM内存技术DDR5速度6400密度8GB/16GB/32GB电压1.1v针数262-Pi带宽64-Bit印刷电路板高度1.18"工作温度(°C)TC=0℃to85℃全无铅电阻器Ye推荐应用FactoryAutomatio/Gamig/IteretofThig/Traortatio......

采用DRAM原厂高质量新世代DDR5DRAM芯片OnDIMM配置电源管理IC(PMIC)(5V)，高效控制系统电源负载On-dieECC纠错机制，提升可靠度262-pin，DDR5小型双列直插式内存模块(DDR5SODIMM)VDD=VDDQ=1.1VVPP=1.8V32个internalbanks架构；8个bankgroupsx4banks无铅(符合RoHS)无卤敷形涂料/底部填充(选用)抗硫化(Apacer专利)(选用)

采用DRAM原厂高质量新世代DDR5DRAM芯片OnDIMM配置电源管理IC(PMIC)(5V)，高效控制系统电源负载On-dieECC纠错机制，提升可靠度288-pin，DDR5无缓冲双列内存模块(DDR5UDIMM)VDD=VDDQ=1.1VVPP=1.8V32个internalbanks架构；8个bankgroupsx4banks无铅(符合RoHS)无卤敷形涂料/底部填充(选用)抗硫化(Apacer专利)(选用)

On-DIMM热传感器：无封装：288pin双列直插式内存（DIMM）PCB：高度31.25mm，导线间距0.85mm（针脚），VDDQ=1.2V（1.14V至1.26V）TC为0°C至95°C64ms，8192周期刷新,0°C至85°C32ms,85°C至95°C无铅（符合RoHS）无卤涂层保护/底部填充(可选)抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)(可选)

On-DIMM热传感器：无封装：260PIN小型双列直插式内存模块（SO-DIMM）PCB：高度30.00mm，间距0.50mm（引脚），VDDQ=1.2V（1.14V至1.26V）平均刷新周期7.8㎲，0℃≤TC≤85℃3.9㎲，85℃≤TC≤95℃无铅（符合RoHS）无卤涂层保护/底部填充(可选)抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)(可选)

DDR4WTRDIMMVLP提供薄型的矮版设计及快速的2666MT/s传输速度，并完全兼容Intel®Purley平台以及1U系统。此模块支持-40ºC至95°C(Tc)宽温，搭配30μ”金手指，且内建单一位纠错及缓存器，能提升时间、指令及控制讯号，并符合JEDEC相关标准。提供8GB及16GB的容量，并支持2133MT/s及2400MT/s的传输速度。VLP模块高度低于1.18英寸，特别适用于1U系统，像是刀锋服务器数据中心。这些模块的设计，优化了精巧系统内的空气流动，减少热冲击。ECC模块设计用来侦测及纠正单一位错误，其会发生在数据存储及传送过程中。ECC模块使用汉明码或三重模块冗余来进行错误侦测及纠正，并自行管理纠错，而不要求数据来源重新发送原始数据。