见PCIeM.2固态硬盘MTE760T以112层3DNAND闪存打造，搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器，带来前所未有的传输效能；创见MTE760T拥有30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。MTE760T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性(-20°C~75°C)，在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性。

创见M.2固态硬盘MTE672A为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护，保障机密数据安全。

创见MTE662AM.2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆叠高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆叠，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662A固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级。MTE662A符合TCGOpal2.0规范，数据可进行加密保存与分层管理，确保数据安全性。30µ"金手指厚金镀层PCB及边缘粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662A具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE662T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE662T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合NVMe1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(CornerBond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C~75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

创见MTE662T固态硬盘搭载PCIeGen3x4接口，符合最新NVMe1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3DNAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3DNAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE662T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。