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宜鼎内存条DDR5 ECC SODIMM

宜鼎内存条DDR5 ECC SODIMM

JESD79-5DDR5SDRAM在容量、速度与电压都有显著提升。尤其就产品结构而言,相较于上一世代,DDR5将电源管理IC(PMIC)移动到内存上,减少了主板上多余的电路。根据JEDEC标准,DDR5单条内存最高容量可提升至128GB,最高传输速率的理论效能亦较DDR4翻倍而达到6400MT/s,整体功耗减至1.1V,节能效率更升级。本系列模块搭载30μ”金手指,并透过双40位独立子信道(32数据位,再加上8ECC数据位),使存取效能大幅提升,处理速率更快。宜鼎提供的内存模块,符合JEDEC所有相关标准,并提供4800MT/s与5600MT/s之16GB、24GB、32GB与48GB容量以供选择。
宜鼎内存条DDR5 ECC UDIMM VLP

宜鼎内存条DDR5 ECC UDIMM VLP

DDR5ECCUDIMMVLP采矮版尺寸(VLP)设计,提供业界最快5600MT/s内存速度,可完全兼容于Intel®Purely平台与1U装置。本系列模块符合所有相关的JEDEC标准,提供16GB与32GB两种版本。VLP模块专用于1U系统,例如系统高度低于1.18英寸的服务器数据中心。本系列模块的设计可改善系统内部风流,有效减少热冲击的影响。
宜鼎内存条CXL Memory Module

宜鼎内存条CXL Memory Module

CXL内存模块克服了三大瓶颈:1)CPU可用内存带宽受限,2)内存资源利用率低,3)内存与其他系统组件间的传输延迟。以下是CXL内存模块的优势:‧随插即享单条64GB大容量:每条内存模块可提供高达64GB的存取容量以及32GB/s带宽,无需额外的DIMM插槽,即可将内存扩充至AI服务器所需的容量。‧内存池技术,方便资源共享:藉由内存池技术,同一层架中不同服务器的CPU、加速器等操作数件可共享内存资源,减少资源冗余、有效提升系统效率。‧优化的通讯协议与硬件架构:透过CXL.io与CXL.mem协议、以及PCIeGen5x8接口,减少计算机零件之间因不同协议与接口造成的复杂性与延迟,为AI和机器学习赋能。作为率先推出E3.S2T规格CXL内存模块的品牌之一,宜鼎国际透过严格测试与驰名业界的技术支持服务,协助客户在现有系统上以最低成本扩展内存,并完成高效部署。
宜鼎内存条MRDIMM

宜鼎内存条MRDIMM

MRDIMM(多重存取双列直插式内存模块),是一种先进的内存技术,满足AI服务器对高内存带宽日益增长的需求。随着CPU速度和核心数不断增加,传统内存解决方案已无法完整应对、也可能使效能陷入瓶颈。MRDIMM可同时存取两个列(Rank),有效将数据吞吐量加倍至每周期128位,并提供高达8800MT/s的DRAM模块数据传输速率。简而言之,MRDIMM技术代表了内存效能的重大突破,可透过更高的数据传输速率,满足下一代应用的需求。
transcend/创见 MTE480T & MTE480T-I

transcend/创见 MTE480T & MTE480T-I

创见M.2固态硬盘MTE480T为符合TCGOpal2.0安全规范的自我加密硬盘(Self-EncryptingDrive),以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护,保障机密数据安全。创见PCIeM.2固态硬盘MTE480T以112层3DNAND闪存打造,搭载高速PCIeGen4x4接口与强大控制器,带来前所未有的传输效能;创见MTE480T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术以及抗硫化电阻,强化关键组件保护,抵御严苛的工业应用环境。MTE480T经过严格的厂内测试,具备类宽温特性(-20°C~75°C),在急遽温差变化下仍能稳定运作,展现高度可靠性。
transcend/创见 MTE460T & MTE460T-I

transcend/创见 MTE460T & MTE460T-I

创见MTE460TPCIeM.2SSD搭载PCIeGen3x2传输接口,采用112层3DNAND闪存,大幅突破单位密度上限,达到更高的储存效益。MTE460T搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(CornerBond)技术与抗硫化电阻,强化关键组件保护,抵御严苛的工业应用环境。MTE460T经过严格的厂内测试。具备类宽温特性(-20°C~75°C),并可依据客户需求提供宽温规格(-40°C~85°C),在急遽温差变化下仍能稳定运作,展现高度可靠性。
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