On-DIMM热传感器：无封装：288pin双列直插式内存（DIMM）PCB：高度31.25mm，导线间距0.85mm（针脚），VDDQ=1.2V（1.14V至1.26V）TC为0°C至95°C64ms，8192周期刷新,0°C至85°C32ms,85°C至95°C无铅（符合RoHS）无卤涂层保护/底部填充(可选)抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)(可选)

On-DIMM热传感器：无封装：260PIN小型双列直插式内存模块（SO-DIMM）PCB：高度30.00mm，间距0.50mm（引脚），VDDQ=1.2V（1.14V至1.26V）平均刷新周期7.8㎲，0℃≤TC≤85℃3.9㎲，85℃≤TC≤95℃无铅（符合RoHS）无卤涂层保护/底部填充(可选)抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利)(可选)

采用先进LDPCECC引擎结合3DNAND闪存，提升可靠度Heatspreader散热技术全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMappingS.M.A.R.T.功能DataRAID™技术DataDefender™技术支持TRIM指令HyperCache缓存技术NVMe安全抹除指令

采用先进LDPCECC引擎结合3DNAND闪存，提升可靠度Heatspreader散热技术全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMappingS.M.A.R.T.功能DataDefender™技术支持TRIM指令HyperCache缓存技术Over-Provisioning技术DataRAID™技术NVMeSecureErase指令支持TCGOpal2.0规范/AES256位硬件加密

支援LDPCECC纠错与校正机制全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMapping支持S.M.A.R.T.功能支持TRIM指令Over-provisioningSMARTReadRefresh™技术

支援LDPCECC纠错与校正机制全区平均抹写技术(GlobalWearLeveling)闪存坏区管理闪存转换层：PageMapping支持S.M.A.R.T.功能支持TRIM指令Over-provisioningSMARTReadRefresh™技术