闪存的一个特性就是随着闪存的使用以及数据存储时间的变长，存储在闪存里面的数据容易发生比特翻转，出现随机性错误。这个问题随着闪存制程的变小越发严重。因此使用闪存作为存储介质的固态硬盘，需要采用一些数据完整性的技术来确保用户数据可靠不丢失。常见的技术有:
-
ECC 纠错
-
RAID 数据恢复
-
重读(Read Retry)
-
扫描重写技术(Read Scrub)
-
数据随机化
读错误来源
闪存数据发生错误，主要有以下几个原因:
1.擦写次数增多 随着闪存块擦写次数增多，氧化层逐渐老化，电子进出存储单元越来越容易，因此存储在存储单元的电荷容易发生异常，导致数据读错误
2. 数据保留
随着时间的推移，存储在存储单元的电子会流失，整个阈值电压分布向左移动，导致读数据的时候发生误判
3.读干扰
读一个 Wordline 数据时，需要施加Vpass电压在其他 Wordline上，导致其他闪存页发生轻微写。如果读的次数过多，轻微写累积起来就会使阈值电压分布发生右移，导致读数据时候发生误判，即读数据错误
4.存储单元之间干扰
由于存储电子的浮栅极是导体，两个导体之间构成电容，一个存储单元电荷的变化会导致其他存储单元电荷变化，而受影响最大的就是它与相邻的存储单元。周围的单元是不同的状态时，中心单元的阈值电压是不一样的。
5. 写错误 写错误一般发生在MLC或者TLC 2-Pass（先写Lower Page，然后再写Upper page)写过程中。写Upper page的时候，它是基于之前Lower page的状态，然后再写每个存储单元到目标状态。如果写Upper page的时候，Lower page数据已经出错（注意写Upper的时候，Lower Page的数据是不会经过控制器ＥＣＣ纠错的，写过程发生在闪存内部），就会导致存储单元写到一个不期望的状态，即发生写错误。
数据一开始就写错了，当然就别指望读对了。
TLC 1-Pass program则没有这个问题，因为Lower Page和Upper page是一次性同时写入，写Upper page不依赖于Lower Page数据。当然，如果一开始擦除状态就不对，那么还是会发生写错误。
注：本文来源于联乐实业官网https://www.univo.com.cn/，转载请标明出处
