无论采用何种存储技术，存储的数据都不能永远保存，在闪存中都会有一段时间：

Data retention是数据保存时间的问题。到了期限，数据会出错，标志着ECC无法成功纠正闪存读取的数据。

我们知道闪存通常有以下错误：

1、电气问题：  

如虚焊接或芯片故障，导致正常命令无法执行或数据错误率异常高。这个问题将在闪存或固态硬盘出厂测试时发现。

2、读、写和擦拭失败：  

基本命令执行失败，结果可以通过状态位读取。这些问题也可能发生在芯片使用过程中，但概率很小。

3、ECC纠错失败:  

其实数据错误率太高，超出了纠错算法的纠错能力。Data retention是罪魁祸首之一。闪存存储的机制是通过量子隧道效应将电子转移到浮栅层并停留在那里。随着时间的推移，电子仍然有一定的可能性离开浮栅层，回到通道里面，离开更多的电子可能会导致单元阅读的结果，即数据错误。

Data retention与浮栅层下的氧化层厚度有关。毕竟，氧化层越厚，电子离开的概率越小。研究表明，如果氧化层厚度为4.5nm，则理论数据可保存10年。