工业存储产品及解决方案
“ Agrade(睿达) SATA SSD ST40是一款比较成熟的产品，采用慧荣SM2246XT主控，仅支持SLC&MLC闪存芯片，不能使用TLC&QLC，专为工业级存储用户优化设计。 ”
ST40接口采用SATA 3.0标准，接口理论传输速度600MB/s，实际最高速度550MB/s左右。
闪存支持4通道(CH)，8CE，所以理论上支持8x4=32个单CE闪存芯片，或16颗双CE闪存，或8颗4CE，以此类推。
在实际应用上，此实例中我们采用东芝正片 TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC闪存，单颗16GB，采用15nm制程工艺。
速度三原则，[闪存速度原则]，基本上制程就决定了闪存本身的速度，这颗闪存采用了目前非常先进的15nm制程工艺，理论上速度应该比较理想。
顺便说一句，有的朋友认为，TSOP封装代表了落后，事实上不完全对，TSOP或BGA仅仅是封装方式而已，两者各有特点，但在核心/管芯上其实是相同的，如此例中TSOP也可以很先进，很优秀。
另外，这颗闪存TSOP封装决定了只有一个模组，模组也只有一个核心/管芯(模组可能有1、2、4个CE)，所以它是一颗单CE闪存芯片。
下面是我们的实际测试：
01
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TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 1 = 16GB / 1CH / 1CE
测试中的速度，基本可以视为闪存本身的速度表现，当然，主控也有一定因素的影响，好的主控可以让速度表现得现好，反之亦然。
02
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TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 2 = 32GB / 2CH / 2CE
两颗闪存，容量加倍，通道/CE加倍，从测试成绩看，读/写的速度也都加倍，基本体现了速度三原则[通道倍增原则]。
03
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TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 4 = 64GB / 4CH / 4CE
四颗闪存，再次证明速度三原则[通道倍增原则]，写速度加倍；读速度理论上也应该是加倍的，但顶到了SATA接口的天花板，550MB/s，没有办法再高了，速度三原则[接口限制原则]。
04
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TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 8 = 128GB / 4CH / 8CE
正面相同，反面再增加四颗，共八颗闪存，由于主控只提供4通道，所以8CE平均分配到4CH，每CH有2CE，通道没有增加，但CE数量加倍了，在CE数量相对于最大CE数32仍然比较少的情况下，主控没有满负荷工作，写速度因为CE的加成，仍然体现出加倍的情况；读速度同样受SATA接口限制，稳定在550MB/s的最高值。
05
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TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 16 = 256GB / 4CH / 16CE
16颗闪存情况与8颗类似，每CH有4CE，通道没增加，CE再加倍，所以写速度也因为CE的加成仍然增加了70%，读速度仍然保持在SATA最高值。
现在我们可以证明：
固态硬盘的速度 =
单颗闪存速度 x 通道数量 < 接口实际最高速度
小提示1：
增加闪存数量，可以增加容量，倍数提升速度，但多颗闪存较同容量的单颗闪存价格高，其次，闪存数量越多，故障点就越多，所以要平衡各方面情况综合考虑。
小提示2：
同一型号固态硬盘，速度可能不同，甚至相差极大，同系列固态硬盘的速度参数可以作为参考，实际数值还是要以闪存型号及数量为基础。
Agrade(睿达) SATA SSD ST40采用16xTSOP板型，非常适合于工业存储用户的中小容量用户，整个板型采用标准大板，用料精良，支持睿达特色之用户个性化定制，其优点在于，可以在固态硬盘容量不大的情况下，以闪存类型x数量的方式来达到用户以需求的理想的速度。