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transcend/创见UTE210T & UTE210T-I
创见U.2 NVMe固态硬盘UTE210T以112层3D NAND闪存打造,搭载8通道控制器与PCIe Gen 4x4传输接口,并符合NVMe 1.4标准,带来前所未有的传输效能;内置DRAM快取,提供绝佳的随机访问速度,同时搭配抗硫化电阻,强化关键组件保护,抵御严苛的工业应用环境。UTE210T的散热效能优于一般固态硬盘,适合全天候高速运转的设备,避免机台过热导致数据储存异常。
产品简介 / Introduction

外观

尺寸 100 mm x 69.85 mm x 7 mm (3.94" x 2.75" x 0.28")
重量 60 g (2.11 oz)
外观尺寸
  • U.2 2.5"

界面

总线接口
  • NVMe PCIe Gen4 x4

存储

容量
  • 512 GB/
  • 1 TB/
  • 2 TB/
  • 4 TB/
  • 8 TB
Flash类型
  • 112层3D闪存

操作环境

工作电压
  • 12.0V±5%
工作温度
  • 类宽温
    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
  •  
  • 宽温
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
储存温度 -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度 5% ~ 95%
耐冲击
  • 15 G, 11 ms, 3 axis
耐振动 (操作中) 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)

电量

耗电量 (操作中) 6.49 瓦
耗电量 (IDLE) 1.0 瓦

效能

连续读写速度(CrystalDiskMark) 读取: 高达 7,400 MB/s
写入: 高达 6,600 MB/s
4K随机读写速度(IOmeter) 读取: 高达 630,000 IOPS
写入: 高达 460,000 IOPS
平均故障间隔(MTBF) 3,000,000 小时
写入兆位元组(TBW) 高达 11,520 TBW
每日全盘写入次数(DWPD) 1.32 (3 年)
备注
  • 传输速度会因您的系统效能(硬件、软件、使用方式、产品容量)而有所不同。
  • 用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同,实际工作负载可能因(硬件、软件、使用情况、产品容量)而异。


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