transcend/创见 MTE652T & MTE652T-I

创见MTE652T固态硬盘搭载PCIe Gen 3 x4接口，符合最新NVMe 1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3D NAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3D NAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE652T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。

产品简介 / Introduction

外观
尺寸	80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2规格	2280-D2-M (双面的)
外观尺寸	M.2 2280
界面
总线接口	NVMe PCIe Gen3 x4
存储
容量	64 GB/ 128 GB/ 256 GB/ 512 GB
Flash类型	3D闪存
操作环境
工作电压	3.3V±5%
工作温度	标准 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) 宽温 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
储存温度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度	5% ~ 95%
耐冲击	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振动 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
电量
耗电量 (操作中)	3.0 瓦
耗电量 (IDLE)	0.6 瓦
效能
连续读写速度(CrystalDiskMark)	读取: 高达 2,100 MB/s 写入: 高达 1,250 MB/s
4K随机读写速度(IOmeter)	读取: 高达 190,000 IOPS 写入: 高达 290,000 IOPS
平均故障间隔(MTBF)	3,000,000 小时
写入兆位元组(TBW)	高达 1,080 TBW
每日全盘写入次数(DWPD)	2 (3 年)
备注	传输速度会因您的系统效能（硬件、软件、使用方式、产品容量）而有所不同。用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同，实际工作负载可能因（硬件、软件、使用情况、产品容量）而异。写入兆位元组（TBW)数值以该系列产品最高容量为主。

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