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  • ATP DDR3
ATP DDR3

容量:1GB ~ 16GB 

 支持Chipkill 

 命令、地址、控制信号采用Fly-by走线架构,on-

DIMM终端匹配设计 

 高带宽:最高达1866MT/s 

 低功耗:正常1.5V,低电压1.35V

产品简介 / Introduction
可工作在1.5V(正常)和1.35V(低电压),传输速度高达1866 MT/s, ATP DDR3内存模块可提供更好的性能,同时功耗明显低于DDR2内存。

ATP DDR3内存模块支持英特尔® Core™ i7系列处理器,AMD AM3 Phenom™处理器,以及AMD最新的嵌入式企业级芯片组。DDR3内存模块与前一代内存模块不兼容,连接器上对齐缺口的设计可防止它们插入不兼容的插槽。

ATP提供各种外形的DDR3 内存模块,包括SO-DIMM、Mini-DIMM、窄板型(LP)、VLP(Very Low Profile)和ULP(Ultra Low Profile)外形。

除了标准产品外,ATP的DDR3产品线还提供额外的可靠性选项,如防尘、防化学物质、抗极端温度和腐蚀的保形涂层;大于30µ”厚度的金手指镀金层,已确保更好的耐用性和信号传输质量。

DDR3
类别 ECC UDIMM Non-ECC UDIMM ECC SO-DIMM Non-ECC SO-DIMM Mini-UDIMM
存储量 1 GB to 16 GB 1 GB to 16 GB 1 GB to 16 GB 1 GB to 16 GB 1 GB to 8 GB
速度 (MT/s) 高达 1866 1866 1866 1866 1600
PCB 高度 Low profile / VLP / ULP Low profile / VLP Low profile / ULP Low profile Low profile / VLP / ULP
工作温度 0°C to 85°C / -40°C to 85°C 0°C to 85°C / -40°C to 85°C 0°C to 85°C / -40°C to 85°C 0°C to 85°C / -40°C to 85°C 0°C to 85°C / -40°C to 85°C


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