DDR4内存的性能和超频潜力很大程度上取决于DRAM颗粒。三大原厂颗粒各有特点。

一、三星(Samsung)颗粒

B-Die：DDR4时代的超频王者，可超至4000MHz+，CL可压到14以下，但价格昂贵

C-Die：主流经济型，超频能力一般，价格适中

二、海力士(SK Hynix)颗粒

CJR/DJR：性价比高，容易超频到3600-3800MHz，时序适中，兼容性好于三星B-Die

JJR：经济型版本

三、镁光(Micron)颗粒

E-Die(C9BLH/C9BJZ)：性价比均衡，可超频至3800-4400MHz但时序较高

Rev.E：超频潜力不错

四、选型建议

极限超频：三星B-Die

性价比超频：海力士CJR/DJR或镁光E-Die

默认使用：普通颗粒即可

识别颗粒：厂家不承诺颗粒不变，可查表或使用Thaiphoon Burner