DDR3是第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器，在DDR2基础上进行了多项重要改进。

一、速度与带宽提升

DDR2内存频率通常为400-1066MHz，DDR3起步频率为800MHz，最高可达2133MHz。DDR3的带宽是DDR2的两倍左右，以DDR3 1600MHz为例，理论带宽约12.8GB/s，而DDR2 800MHz仅6.4GB/s。

二、功耗与电压变化

DDR3工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，低电压版DDR3L可达1.35V，功耗降低约20%-30%。更低的电压意味着更少的热量产生，适合笔记本电脑和紧凑设备。

三、架构改进

DDR3引入了8n预取架构(DDR2为4n)，提高了内部数据总线效率。同时增加了动态ODT(片上终端)和fly-by拓扑结构，提升了信号完整性。

四、物理兼容性

DDR3与DDR2物理接口不同，针脚数为240针(与DDR2相同但缺口位置不同)，不能混插。需要搭配DDR3主板(Intel LGA1156/1155/1150/2011、AMD AM3/AM3+/FM2/FM2+等)。